有报道称，三星有意于中国西安的NAND闪存工厂升级其生产线。基于现有的六代V-NAND（136层）技术，计划转向更高层次的八代技术（238层），并在年底前着手建设第九代（286层）闪存产线。
据悉，三星西安工厂为生产第九代V9 NAND所需的新型设备，预计将在今年上半年开始引进。其目标是至今年年底前，完成一条月产能在2000至5000片晶圆的生产线。
去年，三星已经宣布基于第九代V-NAND技术的TLC与QLC芯片量产，并在韩国平泽P4工厂进行生产。预计将在ISSCC 2025会议上，发布下一代堆叠达4XX层的第十代V10 NAND技术。
另一方面，由于中国市场的订单增加，三星平泽晶圆代工厂已全面恢复生产。之前由于订单减少，约一半的产能被暂停，主要影响到4纳米、5纳米和7纳米工艺。从今年6月开始，三星计划将生产线的运行率提升至最大。
此次复工主要得益于Exynos智能手机应用处理器订单的增加，以及中国市场对加密货币“矿机”的需求上涨。此外，第六代HBM4核心“逻辑芯片”的订单增加也促进了生产线运行率的提升。
根据中国电信通信院的报告，2024年国内市场手机出货量达到3.14亿部，同比增长8.7%，其中5G手机占比达到86.4%。12月，国内品牌手机出货量占到总出货量的89.2%。
晶圆代工厂格罗方德年报显示，全年营收下降9%，晶圆出货量降低4%。格罗方德表示，尽管第四季度营收同比略微下降，但较上一季度实现了5%的增长。
分析师指出，英伟达RTX 50系列游戏显卡面临芯片供应问题，特别是RTX 5090和5080模型已经出现缺货情况。RTX 5070和5060的量产时间可能会由原定的2月和3月分别推迟到3月和4月。
英飞凌公司进一步扩大了其CoolSiC MOSFET 650 V系列产品线，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的新产品。这些新产品主要针对人工智能服务器、电动汽车及其充电器等应用，旨在通过紧凑的系统设计降低成本。
