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中芯国际业绩攀升至新颠峰,双韩企业缩减NAND闪存生产

2025-02-12   互联网
中芯国际的营业额首次突破了80亿美元大关,年增率达到27%。
本地晶圆代加工企业中芯国际最近发布了2024年第四季度及全年的财务报告。在第四季度,公司收入达到22.07亿美元,同比上升31.5%;本期纯利润为2.71亿美元,年增率为14.2%;毛利率为22.6%,比去年同期上升了6.2个百分点。
在第四季度中,中芯国际在中国的营收占比提高到89.1%,较去年同期增加了8.3个百分点;12英寸晶圆的营收占比为80.6%,同比提升了6.4个百分点;依据按8英寸晶圆等效的逻辑晶圆计算,月产量从第三季度末的884,250片增加到了第四季度末的947,625片。
2024年全年,中芯国际的未经审计总营收达到80.3亿美元,同比增长27%;归属于公司股东的净利润为4.93亿美元,同比下降45.4%;年底时,按8英寸等效晶圆的月产能达到94.8万片,年出货总量超过800万片,年均产能利用率为85.6%。
中芯国际对2025年第一季度的收入预计环比增长6%到8%,毛利率预期在19%到21%之间。
三星和SK海力士开始减少NAND闪存芯片的生产量,目的是为了解决供应过剩的问题。根据科技板块的报道,这两家公司自去年年底以来已开始将旧的NAND闪存生产线更换为新工艺。
目前,三星正在将其主要产量的128层产品替换为176层、238层、286层等更先进的产品。SK海力士也在进行技术转移,旨在其NAND生产基地量产最新的238层和321层产品。
据报道,三星正在调整其第六代1cnm DRAM的设计,以提高良品率并确保其HBM4内存能量产。
三星自开发1cnm DRAM以来一直遭遇良品率问题。2024年末的试产未能满足预期,大规模生产阶段的良品率一般在60%至70%之间。
为提高良品率,三星决定对设计进行调整,其中核心电路的线宽保持不变,而外围电路线宽的标准被降低,预计这将大幅提升良品率,确保HBM4内存的稳定量产。三星计划于2025年6月开始大量生产1cnm DRAM,为HBM4的生产提供保障。
裕太微指出,在国产芯片供应链自主性不断增强的背景下,公司将迎来更广阔的市场机会,其车载以太网芯片将在市场中占据重要地位。
在车载数据传输领域,公司根据不同智能驾驶系统对数据量和传输速度的需求,提供了百兆或千兆的物理层芯片产品,并已被应用于比亚迪仰望、腾势等车型。此外,公司的车载以太网交换机芯片也正在进行客户端联合测试,预计将来会与车载以太网物理层芯片一起作为套装销售给客户。
硅晶圆大厂胜高近期宣布,计划将其子公司SUMCO TECHXIV公司(即宫崎工厂)的晶圆生产转移至其他生产设施,通过重组200毫米及以下尺寸硅片的生产以提高经济效益。
胜高决定重组宫崎工厂的生产线,通过合并小尺寸晶圆生产能力来提高效率。宫崎工厂将专注于单晶生产,而晶圆生产将被转移至胜高的其他工厂以及位于印度尼西亚的设施,计划在2026年底前结束宫崎工厂的晶圆生产。对受此次重组影响的员工,胜高计划将他们重新分配至300毫米晶圆生产线。

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