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SK海力士40亿美元HBM项目瞄准美国芯片制造缺口

2026-09-01   EE Times
阅读时间约 3 分钟
SK海力士在美国建设的首座高带宽内存(HBM)先进封装工厂,总投资达40亿美元,旨在弥补美国半导体制造业在关键环节上的产能缺口。
这家韩国存储巨头于8月下旬在印第安纳州举行活动时宣布,将于2029年下半年首次在美国本土开展HBM芯片的封装与测试工作。
HBM已成为支撑人工智能快速扩张的核心主流存储技术。先进封装技术可将多个芯片集成于单一封装内;对HBM而言,则通过垂直堆叠内存芯片以提升性能,从而突破摩尔定律的物理极限。
由于全球大部分先进封装产能集中于亚洲,美国在芯片制造这一关键环节面临供应链脆弱性风险。尽管美国在AI芯片设计领域处于全球领先地位,但其制造环节大多外包给台湾的台积电、韩国的三星及SK海力士等企业。
印第安纳州新厂将负责对SK海力士在韩国生产的HBM芯片进行最终加工处理。SK海力士首席执行官郭周炯在印第安纳州西拉法叶市的仪式上强调:“仅成为HBM制造领导者是不够的。”
他进一步指出:“我们必须通过先进封装,为客户提供定制化内存解决方案,最大限度地提升内存、AI芯片及整个系统的综合性能。”
该工厂计划于2029年下半年启动HBM4E芯片的商业化量产,年处理晶圆量可达数十万片。公司还透露,可能在2030年后于印第安纳州附近新建HBM芯片制造产线。
郭周炯表示:“到2030年,印第安纳州有望成为全球关键的HBM生产基地。”他还补充称,SK海力士正与数百家供应商洽谈合作,共同在当地构建完整的产业生态体系。
公司正与邻近的普渡大学合作开展研发工作,并推进下一代先进封装技术落地。SK海力士的先进封装研发中心将紧邻本地生产线布局,便于客户、高校及合作伙伴协同开展新一代封装技术的研发、原型试制与性能验证工作。
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竞争格局
全球第二大半导体封装测试(OSAT)企业安靠(Amkor),正投资约70亿美元,在台积电位于亚利桑那州凤凰城的新晶圆厂附近建设先进封装设施,预计2028年投产——与SK海力士印第安纳工厂的量产时间基本同步。
台积电也计划于2029年前在亚利桑那州开设其首座先进封装厂。据分析师披露,该公司今年在HBM封装良率方面遭遇挑战。
全球最大的芯片封装企业日月光(ASE Technology)则持续加码亚洲布局,今年已制定创纪录的105亿美元扩产预算,重点投向先进封装领域。
普渡大学的角色
普渡大学是推动美国半导体产业回流的重要高校之一,早在2022年便率先推出全美首个系统性半导体学位培养计划。
该校比里克纳米技术中心拥有全美规模最大的高校级洁净室之一,配备33,000平方英尺的专业实验室。
普渡大学工程学院院长兼首席半导体官马克·伦德斯特罗姆表示,学校完全有能力满足SK海力士对工程人才的需求。
他向《EE Times》介绍:“我们正在培养大量覆盖全产业链的学生——不仅包括电气与计算机工程专业,还有材料、化学、机械、工业工程等多学科背景人才。这些企业需要的是跨领域的复合型人才。”
四年前,该校参与芯片设计项目的学生仅40人;如今已增至近400人。纳米技术中心目前有100名学生参与芯片制造实践项目。
“四年前我们甚至还没有这些课程体系。”伦德斯特罗姆坦言。
普渡大学先进系统集成与封装中心现有约35位教授,支撑着全美规模最大的先进封装教育与研究项目之一。
伦德斯特罗姆认为,这可能是SK海力士选择与其合作并落地印第安纳的关键因素之一。“活动现场已有迹象表明,这仅是更大布局的第一步。当前我们的核心任务是确保封装工厂与研发中心顺利运营,并吸引供应链伙伴入驻当地。”
除SK海力士外,普渡大学在半导体领域的其他重要合作伙伴还包括中国台湾芯片设计厂商联发科,以及欧洲研发机构IMEC。

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