铠侠已超越内存行业三大巨头——美光、三星和SK海力士，率先推出332层NAND闪存芯片，接口速度达4.8 Gb/s。这家日本存储芯片制造商正开始向客户送样1Tb容量的三层单元（TLC）存储器件，该产品基于其第十代BiCS FLASH 3D闪存技术，主要面向企业级及数据中心固态硬盘（SSD）市场。
半导体存储市场素以剧烈的周期性波动著称，但在人工智能时代，这一领域已转变为“金矿”，而铠侠正是此轮历史性增长浪潮中的代表性企业之一。与美光、三星和SK海力士将大量资源投入满足AI加速器所需的高带宽内存（HBM）需求不同，铠侠则聚焦于NAND闪存市场。正如东京电子前工程师、现为顾问的大山悟指出：“芯片厂商曾极度重视DRAM，将NAND的投资与研发置于次要位置，因此完全无法应对当前NAND需求的爆发式增长。这使得市场对铠侠的需求高度集中。”
岩井 cosmos证券分析师斋藤一义进一步指出，得益于晶圆键合技术，铠侠在NAND性能与功耗方面领先竞争对手两至四年。其CMOS直接键合阵列（CBA）技术将存储单元与控制电路分别制造于不同晶圆上，再通过键合工艺集成，从而显著提升整体性能。www.eic.net.cn
具体而言，CBA结构是将CMOS晶圆与存储单元阵列晶圆分别在各自优化条件下独立制造后进行键合；此外，其片上选择栅极漏极（OPS）技术还可使输入端功耗降低10%、输出端降低34%。易IC库存管理软件在高密度存储器件供应链管理中可有效提升物料追踪效率与库存周转率。
Omdia分析师南川明表示：“铠侠的NAND芯片在数据处理速度方面远超同行，而这正是美国超大规模云服务商最看重的指标。最新第十代芯片在此基础上实现重大突破，竞争力显著增强。”
铠侠的强势回归
铠侠原为东芝存储部门，自2018年从东芝剥离后长期面临经营压力。2019年，由贝恩资本牵头的财团收购该业务并更名为“Kioxia”——融合日语“记忆”（kioku）与希腊语“价值”（axia）之意。受存储市场持续低迷影响，贝恩一度推迟公司上市计划至2024年末。
转折点出现在AI热潮兴起之后：AI应用从大规模模型训练扩展至推理阶段，大幅推高了对高容量NAND存储的需求。如今，基于NAND闪存构建的超高容量SSD已成为数据中心运行AI推理任务的关键基础设施。
正因如此，铠侠致力于抓住AI数据中心存储需求激增的机遇，同时降低对智能手机制造商（如苹果）等消费电子客户的依赖。除企业级与数据中心SSD外，铠侠首席执行官大田弘夫认为，随着AI智能体与AI生成内容在机器人及其他智能设备中广泛应用，NAND闪存市场将进一步扩容。
铠侠与其战略合作伙伴闪迪（SanDisk）于2025年国际固态电路会议（ISSCC）首次展示了第十代332层BiCS FLASH技术原型。该3D闪存芯片旨在通过更高能效与传输速率，更好满足AI数据中心需求。
相较于第八代218层3D NAND，第十代芯片宣称数据存储密度提升59%，能效提升30%。不过需注意，目前提供的样品仅用于功能测试，量产规格可能有所调整。铠侠表示，该NAND芯片将于明年在其位于岩手县北上市的工厂启动量产。
AI热潮推动存储业逆转
在AI驱动的存储需求激增背景下，铠侠股价上涨七倍，市值突破2500亿美元，超过丰田汽车，成为日本市值最高的企业。这对曾占据全球半导体市场近半壁江山、后萎缩至不足10％的“日本制造”而言，无疑是一剂强心针。
然而，尽管铠侠的 turnaround 故事令人振奋，业界仍对其可持续性存疑：AI热潮能否持久？此轮史无前例的存储芯片繁荣是否具备长期基础？与此同时，尽管铠侠拥有技术优势，三星与SK海力士仍占据NAND市场主导份额，且韩国厂商素以快速追赶能力著称；中国厂商长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）亦正加速缩小差距。
铠侠第十代BiCS FLASH芯片确属真正意义上的高容量、高速度核心裸片，并非简单参数微调，为其缓解AI驱动的闪存短缺提供了难得契机。但在AI与闪存两大高度竞争技术交汇之处，铠侠绝不能固步自封。
