全球内存与NAND闪存市场已全面进入超级周期。多年来隐约显现的趋势,将在2026年变得尤为严峻:NAND与DRAM的产能分配压力达到历史峰值。
原因显而易见:人工智能企业、超大规模云服务商、GPU制造商及云计算提供商几乎包揽了全部可用产能。生产重心高度集中于高利润与高增长预期领域,包括高带宽内存(HBM)、高端NAND以及最前沿制程技术。
被悄然牺牲的,不仅是传统成熟技术——例如2D单层单元(SLC)或多层单元(MLC)NAND闪存;就连已被验证可靠的3D NAND旧代产品,也因无法满足工业级与嵌入式应用所需规模而逐渐退出市场;部分过渡性技术虽具备广泛适用性,本应成为众多系统平滑迁移的现实路径,却同样面临严格配额限制。至2026年,这些细分领域的有效产能实质上已全部售罄:价格急剧攀升,即便支付溢价,若无长期规划,也无法确保稳定供货。
这一动态在自相矛盾之处尤为危险。当前全球重心聚焦于快速建设AI数据中心——密集部署GPU机架、HBM及大型NAND存储系统。然而,一座数据中心远不止加速器与高性能内存;它依赖大量基础支撑系统,涵盖网络、管理功能、安全机制,以及用于启动与控制等关键任务的高可靠性嵌入式组件——而所有这些环节均需闪存支持。矛盾正由此产生。
当头部厂商提前数年锁定AI训练集群所需内存时,整个供应链却正在失衡。基础设施系统制造商不得不为每一份NAND配额激烈争夺:模块无法生产、整机难以出货,更严重的是,数据中心可能因缺失看似“微小”的内存组件而无法按计划启用,或仅能以受限容量投入运行。一种脱离整体系统视角的分配逻辑,正将瓶颈转移至意料之外却至关重要的节点。
一则在科技圈迅速走红的评论,精准揭示了这种失序状态:
“内存价格暴涨四倍,只因尚未投产的芯片已被抢购一空——为尚不存在的GPU、尚未建成的数据中心,服务可能永远无法兑现的需求。”
简言之,对预期利润的追逐,正在制造真实的短缺。
内存超级周期确凿存在,但它并非自然法则。若分配决策仅由短期回报预期驱动,数字基础设施的结构性根基将面临风险。市场当下亟需全局观:人工智能唯有在那些“不起眼”却不可或缺的内存技术持续可得且稳定可靠的前提下,才能实现可持续扩展。否则,这并非进步,而是系统性地步入黑暗。
值得指出的是,行业正积极寻求解决方案。例如,高带宽闪存(HBF)通过堆叠多层NAND晶粒显著提升推理工作负载下的存储容量;Kioxia等厂商推动CMOS直连阵列(CBA)等新技术,以缓解结构性失衡;与此同时,HBM4作为第六代高带宽内存技术,已在2026年国际消费电子展(CES)上展现其重塑AI基础设施的潜力。这些创新表明,产业链正在努力重建平衡。
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